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J-GLOBAL ID：201602288979202784   整理番号：13A1264635

Universal trench design method for a high-voltage SOI trench LDMOS

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著者 (4件)：
Hu Xiarong

Hu Xiarong について

(Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu)

Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu について

, 
Zhang Bo

Zhang Bo について

(Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu)

Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu について

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Luo Xiaorong

Luo Xiaorong について

(Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu)

Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu について

, 
Li Zhaoji

Li Zhaoji について

(Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu)

Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu について


資料名：
Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)

Journal of Semiconductors について


巻： 33  号： 7  ページ： 074006-1-074006-4  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)
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DESIGN

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SOI

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, 
LDMOS

LDMOS について


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