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J-GLOBAL ID：201602291460906243   整理番号：16A0942608

NH₃-MBE法により作製されたEu,Mg共添加GaNの発光サイト評価

著者 (4件)： 関口寛人 (豊技大) ,  酒井優 (山梨大) ,  立石紘己 (豊技大) ,  若原昭浩 (豊技大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16a-P5-14  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MBE成長 ,  *ドーピング ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *発光 ,  ユウロピウム ,  マグネシウム ,  発光中心 ,  アンモニア ,  励起子 ,  光ルミネセンス ,  窒化物半導体 ,  *共ドーピング
準シソーラス用語： *共添加 ,  フォトルミネセンス

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： NH3 ,  MBE ,  作製 ,  Eu ,  Mg ,  共添加 ,  GaN ,  評価