文献

J-GLOBAL ID：201602292137741246   整理番号：16A1153174

種々のフィラメント形状を持つCBRAMのための原子モンテカルロシミュレーション【Powered by NICT】

Atomic Monte-Carlo simulation for CBRAM with various filament geometries

著者 (7件)： Zhao Y. D. (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Huang P. (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Guo Z. H. (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Lun Z. Y. (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Gao B. (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Liu X. Y. (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Kang J. F. (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SISPAD  ページ： 153-156  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電ブリッジランダムアクセスメモリ(CBRAM)の原子モンテカルロシミュレーションによるとフォーミング/SETおよびRESETプロセス中のフィラメントの成長と溶解の微視的性質を調べるために開発した。電気化学反応とカチオン輸送と相関核形成中のクラスタ成長が含まれている。導電性フィラメント(CF)の形状に重要な材料パラメータの影響はシミュレータによって明らかにした。種々のグループによって実験的に観察された円錐と樹状突起形状CFは重要な材料パラメータを調整することによってシミュレートした。シミュレータを使用して,異なるCF形状をもつ成形/SETおよびRESETプロセスの微視的性質を調べ,保持挙動を解析することができる。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 樹状突起 ,  カチオン ,  核形成 ,  シミュレータ ,  泡立ち ,  クラスタ形成 ,  円錐 ,  電気化学反応 ,  *フィラメント ,  材料パラメータ ,  導電性フィラメント ,  *モンテカルロシミュレーション

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： フィラメント ,  CBRAM ,  原子 ,  モンテカルロシミュレーション