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J-GLOBAL ID：201602294899193016   整理番号：16A0321342

CIGS太陽電池の開回路電圧に及ぼす熱分解セレンの影響【Powered by NICT】

Influence of Thermal Cracking Selenium on The Open-circuit Voltage of CIGS Solar Cells

著者 (9件)： Li Guangmin (Physics Dep.,School of Sci.,Tianjin Chengjian Univ., Tianjin) ,  Liu Wei (Inst. of Photoelectronic Thin Film Devices and Technol. and Tianjin Key Lab. of Thin Film Devices and ...) ,  Lin Shuping (Inst. of Photoelectronic Thin Film Devices and Technol. and Tianjin Key Lab. of Thin Film Devices and ...) ,  Li Xiaodong (Inst. of Photoelectronic Thin Film Devices and Technol. and Tianjin Key Lab. of Thin Film Devices and ...) ,  Zhou Zhiqiang (Inst. of Photoelectronic Thin Film Devices and Technol. and Tianjin Key Lab. of Thin Film Devices and ...) ,  He Qing (Inst. of Photoelectronic Thin Film Devices and Technol. and Tianjin Key Lab. of Thin Film Devices and ...) ,  Zhang Yi (Inst. of Photoelectronic Thin Film Devices and Technol. and Tianjin Key Lab. of Thin Film Devices and ...) ,  Liu Fangfang (Inst. of Photoelectronic Thin Film Devices and Technol. and Tianjin Key Lab. of Thin Film Devices and ...) ,  Sun Yun (Inst. of Photoelectronic Thin Film Devices and Technol. and Tianjin Key Lab. of Thin Film Devices and ...)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 36  号： 11  ページ： 1289-1293  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Cu(In1 -xGax)Se2(CIGS)薄膜の構造及びデバイスパラメータに及ぼすセレンの割れの影響を調べた。クラックが入ったセレンの活性は自ら設計したセレン化炉で用いた熱分解システムの温度を緩和することにより制御することができる。HCSe雰囲気は,膜表面上のGa濃度を高め,CIGS膜表面のバンドギャップエネルギーを増加させる。addition,HC Se雰囲気中での”相分離”を軽減することができる。その結果,太陽電池のVoc値は,約34.6%増加した。新しい熱分解システムを用いたデバイスの変換効率は約45.5%で6.02%から8.76%に増加した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 亀裂 ,  相分離 ,  *熱分解 ,  ガリウム ,  *太陽電池 ,  *セレン ,  薄膜
準シソーラス用語： 変換効率 ,  バンドギャップエネルギー ,  *開回路電圧 ,  *CIGS太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： CIGS太陽電池 ,  開回路電圧 ,  熱分解 ,  セレン