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J-GLOBAL ID：201602298035201892   整理番号：16A0614810

垂直最終によるTSV技術を用いた3D WLCSPの開発【Powered by NICT】

Development of thin 3D WLCSP using vertical via last TSV technology

著者 (5件)： Yu Daquan (Huatian Technology (Kunshan) Electronics Co., Ltd., Kunshan, 215300, China) ,  Xiao Zhiyi (Huatian Technology (Kunshan) Electronics Co., Ltd., Kunshan, 215300, China) ,  Fan Jun (Huatian Technology (Kunshan) Electronics Co., Ltd., Kunshan, 215300, China) ,  Ren Yulong (Huatian Technology (Kunshan) Electronics Co., Ltd., Kunshan, 215300, China) ,  Huo Jinqian (Huatian Technology (Kunshan) Electronics Co., Ltd., Kunshan, 215300, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去TSV(シリコン貫通ビア)技術を用いて3D WLCSPは小型形状因子,軽量,薄型,高I/O密度,高速と最も重要な,低コストを満たすために理想的な包装技術である。TSVによる3D WLCSPのために,多くの重要なプロセスを開発する必要がある。デバイスとキャリアウエハボンディングのための一時的接着剤の適用のために,高温耐性が重要なプロセス統合段階は,シリコンエッチング,PECVD,PVDを含んでいる。添加では,洗浄とウエハ剥離による酸化物エッチのような,いくつかのプロセスは非常に挑戦的である。本論文では,8インチ,最後のTSV法による用いた薄いWLCSPを実証することに成功した。二仮設材,Brewer科学からHT1010と305と命名した薄いウエハ操作プロセス統合のために使用した。パッケージでは,垂直TSVの直径は60μmであり,最終Si厚さは120μmである。-5μm厚さのCu/Ni/Au RDLは背面チップの上に作製した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 包装技法 ,  プラズマCVD ,  接着剤 ,  酸化物 ,  高速度 ,  耐熱性 ,  形状因子 ,  エッチング ,  *三次元 ,  薄型 ,  シリコン貫通ビア ,  *ウエハレベルCSP
準シソーラス用語： 軽量 ,  *WLCSP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  信号理論  (ND02020G) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  TSV ,  3D ,  WLCSP ,  開発