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J-GLOBAL ID：201602299581653290   整理番号：16A0070539

反応性イオンエッチングによる太陽電池用結晶シリコン表面構造の作製【Powered by NICT】

Fabrication of Crystalline Silicon Surface Texture for Solar Cells by Reactive Ion Etching

著者 (7件)： Jin Conghui (Coll. of Physics Sci. and Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Shi Zhenliang (Coll. of Physics Sci. and Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Yu Wei (Coll. of Physics Sci. and Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Cong Ridong (Coll. of Physics Sci. and Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Zhang Yu (Coll. of Physics Sci. and Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Song Dengyuan (Coll. of Physics Sci. and Technol.,Hebei Univ., Baoding) ,  Fu Guangsheng (Coll. of Physics Sci. and Technol.,Hebei Univ., Baoding)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 44  号： 3  ページ： 571-575  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： c-Si太陽電池のための円錐構造組織はエッチングガスとしてSF_6とO_2を用いた反応性イオンエッチング(RIE)組織化工程を経て達成された。シリコン表面のRIEテクスチャリングに及ぼす主要パラメータの影響を解析した。結果は,分布の均一性とc-Siの円錐構造の深さは作動圧力の増加に伴って増加し,リッジ構造が最終的に開発されていることを示した。CH_4は反応ガスに導入されるとき,円錐構造はより高くなると平均表面反射率は5.63%に低下した。全ての結果は説明可能である:圧力上昇にともないF原子エッチング効果の増強は,円錐構造深さの増大に有用である。小さなポリマーSiO_yF_xの完全エッチングオフは円錐構造の寸法分布は一層均一になってきている。しかし,シリコン表面のより高い圧力でマスクとシリコン基板のエッチングはリッジ凸のように見える円錐の底部を残しただけであった。CH_4の取り込みはCH_xポリマー形成とイオン衝撃の増大への増加であり,これは高アスペクト比を持つ円錐微細構造の形成に有利であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 微細構造 ,  円錐 ,  凸形 ,  *表面構造 ,  *エッチング ,  イオン衝突 ,  重合体 ,  テキスチャード加工 ,  *RIE【エッチング】 ,  ケイ素 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 高アスペクト比 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性イオンエッチング ,  太陽電池 ,  結晶シリコン ,  表面構造 ,  作製