特許
J-GLOBAL ID：201603000331090353

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-115896
公開番号（公開出願番号）：特開2016-157989
出願日： 2016年06月10日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】半導体装置が、酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と一部が接する金属酸化物膜と、金属酸化物膜上において該金属酸化物膜と接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有する。これによって、酸化物半導体膜への電荷の影響を緩和することができるため、酸化物半導体膜界面への電荷トラップに起因するトランジスタのしきい値変動を抑制することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、金属酸化物膜と、絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜の上方に設けられ、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、 前記金属酸化物膜は、InとGaとZnとを有し、 前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の上方に設けられ、 前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜となる機能を有し、 前記絶縁膜は、前記金属酸化物膜の上方に設けられ、 前記絶縁膜は、前記金属酸化膜の端部を越えて延びた領域を有し、 前記ゲート電極は、前記絶縁膜の上方に設けられ、 前記ゲート電極と、前記チャネル形成領域とは、前記絶縁膜を介して重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T
Fターム (55件)：
5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK42 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (3件)

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