特許

J-GLOBAL ID：201603000621832477

標準値残留応力校正試料及びその製造と保存方法

発明者： シュ,チュングゥァン ,  シュ,ラン ,  パン,チンシュェ ,  シァォ,ディングゥォ ,  リー,シァォ ,  ソン,ウェンタオ
出願人/特許権者： 北京理工大学
代理人 (2件)： 廣瀬 隆行 ,  関 大祐
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-544310
特許番号：特許第5972480号
出願日： 2013年03月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 1つの本体と2つの溶接ブロックとを備え、前記本体と溶接ブロックとも長方体とされる金属ブロックであって、前記溶接ブロックは前記本体の対向する両側面に溶接され、前記本体は上下方向から加えれた圧力の作用で変形して残留応力を有することを特徴とする標準値残留応力校正試料。

IPC (4件)：

G01L 25/00 ( 200 6.01) ,  G01L 1/00 ( 200 6.01) ,  G01N 3/62 ( 200 6.01) ,  G01N 29/30 ( 200 6.01)

FI (5件)：

G01L 25/00 B ,  G01L 1/00 C ,  G01L 1/00 L ,  G01N 3/62 ,  G01N 29/30

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜の評価方法及び評価装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-218774   出願人：松下電子工業株式会社