特許

J-GLOBAL ID：201603000697944860

ゲルマニウム層上に窒化酸化アルミニウム膜を備える半導体構造およびその製造方法

発明者： 鳥海 明 ,  田畑 俊行
出願人/特許権者： 国立研究開発法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013056678
公開番号（公開出願番号）：WO2014-030371
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：

ゲルマニウム層30と、前記ゲルマニウム層上に形成された窒化酸化アルミニウム膜32と、を具備し、前記窒化酸化アルミニウム膜のEOTが2nm以下であり、前記窒化酸化アルミニウム膜上に金属膜としてAuを形成した際の前記金属膜の前記ゲルマニウム層に対する電圧を反転領域側に0.5V印加したときの前記ゲルマニウム層と前記金属膜との周波数が1MHzにおける容量値をCit、蓄積領域における前記ゲルマニウム層と前記金属膜との容量値をCaccとしたとき、Cit/Caccは0.4以下である半導体構造。

請求項（抜粋）：

ゲルマニウム層と、 前記ゲルマニウム層上に形成された窒化酸化アルミニウム膜と、 を具備し、 前記窒化酸化アルミニウム膜のEOTが2nm以下であり、前記窒化酸化アルミニウム膜上に金属膜としてAuを形成した際の前記金属膜の前記ゲルマニウム層に対する電圧を反転領域側に0.5V印加したときの前記ゲルマニウム層と前記金属膜との周波数が1MHzにおける容量値をCit、蓄積領域における前記ゲルマニウム層と前記金属膜との容量値をCaccとしたとき、Cit/Caccは0.4以下であることを特徴とする半導体構造。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L29/78 301B ,  H01L21/318 C

Fターム (25件)：

5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC09 ,  5F058BC10 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BD13 ,  5F058BF13 ,  5F058BF15 ,  5F058BH01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA19 ,  5F140BA03 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BD04 ,  5F140BE09 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05