特許
J-GLOBAL ID:201603001271800174
半導体装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
片山 修平
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-239534
公開番号(公開出願番号):特開2014-090098
特許番号:特許第5924235号
出願日: 2012年10月30日
公開日(公表日): 2014年05月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体素子と、
前記半導体素子と基板とを電気的および機械的に接続し、複数の金属粒子と前記複数の金属粒子間を接続するめっき層とを含み、金属と空洞が混在するポーラス構造を含む接続部材と、
を具備し、
前記複数の金属粒子と前記めっき層とは同じ金属を主成分とすることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
FI (4件):
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 E
, H01L 21/92 602 B
引用特許:
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