特許

J-GLOBAL ID：201603001577248246

III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体ウエハ

発明者： 久米川 尚平 ,  永井 誠二 ,  守山 実希
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (2件)： 藤谷 修 ,  一色 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-162897
公開番号（公開出願番号）：特開2016-037426
出願日： 2014年08月08日
公開日（公表日）： 2016年03月22日
要約：

【課題】フラックス法により面上一様に貫通転位密度が低減されたIII 族窒化物半導体を得ること。【解決手段】GaN基板1(種結晶層)の表面には複数の箇所に窓部145と窓部以外のマスク部146とが形成され、窓部145には厚さ方向に孔170が形成されている。フラックス法により、III 族窒化物半導体を孔170の側壁171から横方向にエピタキシャル成長させて、孔170を埋めつつ、マスク部146の上部に回り込ませて、そのマスク部の周囲の複数の孔から成長させたIII 族窒化物半導体をマスク部の上部において横方向に合体させる。これにより成長初期において、窓部、マスク部の上部は全て横方向成長となり、貫通転位は主面に平行な方向に曲げられるために、成長した半導体表面の貫通転位密度は面上一様に低減される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長の起点となる種結晶層を少なくとも表面部に有する基板の上に、フラックス法を用いて溶液からIII 族窒化物半導体を成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、 前記種結晶層の表面に形成され、複数の箇所にマスクの存在しない窓部と窓部以外のマスク部とから成るマスク層を有し、前記基板の少なくとも種結晶層には、前記窓部に厚さ方向に形成された孔を有し、 フラックス法により、前記III 族窒化物半導体を前記孔の側壁から横方向にエピタキシャル成長させて、前記マスク部の上部において、そのマスク部の周囲の複数の孔から成長させた前記III 族窒化物半導体を横方向に合体させると共に、前記基板の主面に垂直な方向に成長させることを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/02 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B19/02 ,  H01L21/208 Z

Fターム (24件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077CG06 ,  4G077ED04 ,  4G077EE04 ,  4G077EE07 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA24 ,  4G077QA73 ,  5F053AA50 ,  5F053BB04 ,  5F053BB08 ,  5F053DD20 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053PP02 ,  5F053PP04 ,  5F053RR03