特許
J-GLOBAL ID：201603001879312253
荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-126973
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251484
特許番号：特許第6009825号
出願日： 2012年06月04日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】描画材料上の描画領域の描画パターンデータを
ショット単位の描画パターンに分割し、
該ショット単位の描画パターンに基づいて荷電粒子ビームの断面形状と描画材料上のショット位置とを制御して
前記描画材料上に荷電粒子ビームをショットすると共に、
前記描画領域内を仮想的な単位区画に区切り、
区画(m,n)の後方散乱電子に起因する蓄積エネルギー比率Ebpbm,nマップを求め、
該蓄積エネルギー比率Ebpbm,nマップからショット位置に基づいた近接効果補正量を求め、
該近接効果補正量を考慮して荷電粒子ビームのショット時間を変化させる荷電粒子ビーム描画装置において、
前記描画領域内の前記ショット単位の描画パターンについて、
ショットする描画パターンkを中心とする後方散乱電子の影響範囲より狭い影響範囲(2r×2r角)内を単位区画(i,j)に区切り、該影響範囲内に存在する周囲n個のショット単位の描画パターンを抽出し、抽出されたn個のショット単位の描画パターンについて寸法情報(sik,sjk)及び位置情報(rik,rjk)を取得し、取得された寸法情報(sik,sjk)及び位置情報(rik,rjk)と後方散乱電子の影響範囲より狭い影響範囲の蓄積エネルギー強度分布マップEIDci,jに基づいてショット単位の描画パターンkの蓄積エネルギー比率Ebpckを
として求め、この一連の処理を前記描画領域の全てのショット単位の描画パターンに対して繰り返し行い、ショット単位の描画パターン毎に蓄積エネルギー比率Ebpcを求める繰り返し演算手段と、
ショットする描画パターンkの前記蓄積エネルギー比率Ebpckと、該描画パターンkの位置データに基づいて前記蓄積エネルギー比率Ebpbm,nマップから求めた蓄積エネルギー比率Ebpbとから描画パターンkの近接効果補正値を求める近接効果補正値演算手段と、を備え、
該近接効果補正量に基づいて荷電粒子ビームのショット時間を変化させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, H01J 37/305 ( 200 6.01)
H01L 21/30 541 M
, H01L 21/30 551
, G03F 7/20 521
, G03F 7/20 504
, H01J 37/305 B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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