特許
J-GLOBAL ID：201603002062809152
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-545773
公開番号（公開出願番号）：特表2016-500475
出願日： 2013年12月03日
公開日（公表日）： 2016年01月12日
要約：
第1の側および第2の側を有するシリコン基板ウェハと、シリコン基板ウェハの第1の側上に成膜されるシリコンエピタキシャル層と、オプションとしてシリコンエピタキシャル層の上の1つ以上のさらなるエピタキシャル層とを含み、シリコンエピタキシャル層は1×1016原子/cm3以上および1×1020原子/cm3以下の濃度の窒素でドープされ、または、1つ以上のさらなるエピタキシャル層の少なくとも1つは、1×1016原子/cm3以上および1×1020原子/cm3以下の濃度の窒素でドープされ、または、シリコンエピタキシャル層および1つ以上のさらなるエピタキシャル層の少なくとも1つは、1×1016原子/cm3以上および1×1020原子/cm3以下の濃度の窒素でドープされる、エピタキシャルウェハ。エピタキシャルウェハは、シリコンエピタキシャル層、または1つ以上のさらなるエピタキシャル層の少なくとも1つ、またはシリコンエピタキシャル層および1つ以上のさらなるエピタキシャル層の少なくとも1つを、1つ以上のシリコン前駆物質化合物および1つ以上の窒素前駆物質化合物を含有する成膜ガス雰囲気の存在下で化学蒸着法によって940°C以下の温度で成膜することによって、製造される。
請求項（抜粋）：
第1の側および第2の側を有するシリコン基板ウェハと、前記シリコン基板ウェハの前記第1の側上に成膜されるシリコンエピタキシャル層と、オプションとして前記シリコンエピタキシャル層の上の1つ以上のさらなるエピタキシャル層とを含み、前記シリコンエピタキシャル層は1×1016原子/cm3以上および1×1020原子/cm3以下の濃度の窒素でドープされ、または、前記1つ以上のさらなるエピタキシャル層の少なくとも1つは、1×1016原子/cm3以上および1×1020原子/cm3以下の濃度の窒素でドープされ、または、前記シリコンエピタキシャル層および前記1つ以上のさらなるエピタキシャル層の少なくとも1つは、1×1016原子/cm3以上および1×1020原子/cm3以下の濃度の窒素でドープされる、エピタキシャルウェハ。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/56
H01L21/205
, C23C16/24
, C23C16/56
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030BA29
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA09
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 4K030LA15
, 5F045AA01
, 5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045DA59
, 5F045HA16
