特許

J-GLOBAL ID：200903087727586788

シリコン半導体基板及びその製造方法

発明者： 碇 敦 ,  坂本 光 ,  中居 克彦 ,  星野 泰三
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084915
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026196
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶基板の作成において、窒素を添加することにより空孔欠陥の発生を防ぎ、高品質な表面無欠陥層をもった熱処理基板を作成することを目的とする。【解決手段】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造時に窒素を添加し、結晶中に1×1013atoms/cm3 以上1×1016atoms/cm3以下含有させた結晶を熱処理することにより基板表面から深さ1μmまでの領域において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が104 個/cm3 以下である半導体基板を得る。【効果】 本発明の基板を用いることにより、ほぼ無欠陥の表面欠陥層を有する基板を作成でき、デバイスの作成歩留まりが高いウエハを提供することができる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法又は磁場印加チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶から得たシリコン半導体基板であって、少なくとも基板表面から深さ1μmまでの領域において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が104 個/cm3 以下であることを特徴とするシリコン半導体基板。

IPC (5件)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/322

FI (5件)：

C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 502 H ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208 P ,  H01L 21/322 Y

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201762   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコン単結晶ウエ-ハの製造方法およびシリコン単結晶ウエ-ハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-050396   出願人：信越半導体株式会社
• 特開平4-215423
  
• 半導体基板の熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-302251   出願人：株式会社東芝