半導体素子の製造方法及び製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：前田実 , 山形洋一 , 篠原昌彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-061858
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197260
特許番号：特許第6018773号
出願日： 2012年03月19日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に形成された半導体素子チップに対し、CMP装置を用いたCMP処理を行う時間を決定する工程と、前記半導体素子チップに対する、前記CMP装置を用いた前記CMP処理を、決定された前記CMP処理を行う前記時間だけ行う工程とを有し、前記CMP処理を行う前記時間を決定する前記工程において、前記半導体素子チップの長辺の長さ及び短辺の長さをそれぞれ、L1及びL2で表すときに、前記半導体素子チップの研磨量が所定の目標値になるように、チップサイズ比(L1/L2)の値が大きくなるほど、前記CMP処理を行う前記時間を長い時間に決定することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：