窒化物半導体発光素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人佐野特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-521028
特許番号：特許第5908979号
出願日： 2013年05月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板と、前記基板上に設けられたバッファ層と、前記バッファ層上に設けられた下地層と、前記下地層上に設けられたn側窒化物半導体層と、前記n側窒化物半導体層上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられたp側窒化物半導体層と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、窒化物半導体発光素子を構成する各層の結晶面である(004)面についてのX線のロッキングカーブ半値幅ω(004)が40arcsec以下、または(102)面についてのX線のロッキングカーブ半値幅ω(102)が130arcsec以下であり、同一動作電流における25°Cにおける光出力P(25)と80°Cにおける光出力P(80)との比率P(80)/P(25)が95%以上であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：