特許
J-GLOBAL ID：201103056670397148

アルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、窒化物層の製造方法および窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
荒木 正浩

荒木 正浩 について

, 
内海 孝昭

内海 孝昭 について

, 
阪田 昌彦

阪田 昌彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-210382
公開番号（公開出願番号）：特開2011-061063
出願日： 2009年09月11日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：
【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】DC-continuous方式により電圧を印加するDCマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層2の積層時に、(i)ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を100mm以上250mm以下とすること、(ii)DCマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、(iii)基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも1つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板とアルミニウムを含有するターゲットとを100mm以上250mm以下の距離をあけて配置する工程と、 前記基板と前記ターゲットとの間にDC-continuous方式により電圧を印加して行なわれるDCマグネトロンスパッタ法により前記基板の表面上にアルミニウム含有窒化物中間層を形成する工程と、を含む、アルミニウム含有窒化物中間層の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203 ,  H01S 5/323 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205 ,  C23C 14/06
FI (5件)：
H01L21/203 S ,  H01S5/323 610 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/205 ,  C23C14/06 A
Fターム (62件)：
4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029CA15 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029DC44 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CB11 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA16 ,  5F041DA46 ,  5F041DB01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103GG02 ,  5F103HH04 ,  5F103LL02 ,  5F103NN02 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ15 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AQ13 ,  5F173AR92
引用特許：
審査官引用 (16件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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