特許

J-GLOBAL ID：201603002426969363

イメージセンサーの単位画素及びその受光素子

発明者： キム,フン
出願人/特許権者： キム,フン
代理人 (2件)： ▲吉▼川 俊雄 ,  市川 寛奈
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-528273
特許番号：特許第6015975号
出願日： 2012年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 受光した光を電気的信号に変換するイメージセンサーの単位画素において光を吸収する受光素子であって、 フローティングした構造で形成され、光を吸収する受光部と、 前記受光部の一面に接するように形成される酸化膜と、 前記酸化膜の他面の一側に接するように形成され、前記酸化膜を介在して前記受光部と隔たって形成されるソースと、 前記酸化膜の他面の他側に接するとともに前記ソースと対向するように形成され、前記酸化膜を介在して前記受光部と隔たって形成されるドレインと、 前記ソースとドレインとの間に形成され、前記ソースとドレインとの間に電流の流れを形成するチャンネルと、 を含み、 前記受光部は半導体であって第1型の不純物でドープされ、前記ソース及び前記ドレインは第2型の不純物でドープされ、前記ソース及び前記ドレインがその上に形成されるボディーは第1型の不純物でドープされ、 前記受光部は、前記酸化膜により前記ソース及び前記ドレインから絶縁され、 受光した光により生成された電子-正孔対(EHP)の電子は、前記酸化膜での集中した電界によるトンネリング現象により前記受光部から前記ソース及びドレインに放出され、前記光の強度が減少したり遮断されたりした場合はトンネリング現象により前記ソース及び前記ドレインから前記受光部に電子が流入し、前記電子の放出又は流入による前記受光部の電荷量の変化によって前記チャンネルの電流の流れが制御され、 前記受光部はポリシリコンで形成されている、光を吸収する受光素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H01L 31/10 ( 200 6.01) ,  H04N 5/369 ( 201 1.01)

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A ,  H04N 5/335 690

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037698   出願人：富士通株式会社
• 固体撮像装置及びその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-258054   出願人：株式会社東芝
• 放射線検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-305277   出願人：浜松ホトニクス株式会社

審査官引用 (3件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037698   出願人：富士通株式会社
• 固体撮像装置及びその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-258054   出願人：株式会社東芝
• 放射線検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-305277   出願人：浜松ホトニクス株式会社