特許
J-GLOBAL ID：201603002552444225

半導体装置の製造方法

発明者：
松田 祐弥

松田 祐弥 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-201642
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084926
特許番号：特許第5832979号
出願日： 2012年09月13日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被加工膜上の配線部に第1芯材パターンを複数形成するとともに、それぞれ前記第1芯材パターンから引き出され、開口部を有する第2芯材パターンと、複数の前記第2芯材パターン間に配置された芯材ダミーパターンを前記被加工膜上の引き出し部に形成する工程と、 前記第1芯材パターンおよび前記第2芯材パターンの外周に沿って側壁パターンを形成するとともに、前記芯材ダミーパターンの外周および前記第2芯材パターンの開口部の内周に沿って側壁ダミーパターンを形成する工程と、 前記第1芯材パターン、前記第2芯材パターンおよび前記芯材ダミーパターンを除去する工程と、 前記側壁パターンおよび前記側壁ダミーパターンが転写されるように前記被加工膜を加工する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 S ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体素子及びそのパターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-291875   出願人：三星電子株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-196130   出願人：株式会社東芝, 東芝情報システム株式会社, 東芝情報システムテクノロジー株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-276701   出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (5件)
  • 半導体素子及びそのパターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-291875   出願人：三星電子株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-196130   出願人：株式会社東芝, 東芝情報システム株式会社, 東芝情報システムテクノロジー株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-276701   出願人：株式会社東芝
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