特許

J-GLOBAL ID：201603002678489534

エッチング処理用組成物及びエッチング処理方法

発明者： 川合 健太郎 ,  森田 瑞穂 ,  足達 健二 ,  永井 隆文
出願人/特許権者： ダイキン工業株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-043031
公開番号（公開出願番号）：特開2016-162983
出願日： 2015年03月04日
公開日（公表日）： 2016年09月05日
要約：

【課題】低コストで、環境面への影響が少なく、安全かつ簡便な操作によりシリコン基板などの被処理物の表面に逆ピラミッド構造のテクスチャを形成することのできるエッチング処理用組成物を提供する。【解決手段】含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含む、エッチング処理用組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

含窒素芳香族複素環化合物及びフッ化水素を含む、エッチング処理用組成物。

IPC (2件)：

H01L 21/308 ,  H01L 31/023

FI (2件)：

H01L21/308 B ,  H01L31/04 280

Fターム (9件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD07 ,  5F043DD08 ,  5F043DD13 ,  5F043FF10 ,  5F151CB21 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15