特許
J-GLOBAL ID：201603002854067803
ポリアニオン系化合物の合成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
鎌田 直也
, 鎌田 文二
, 中谷 弥一郎
, 地代 信幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-070996
公開番号（公開出願番号）：特開2016-190750
出願日： 2015年03月31日
公開日（公表日）： 2016年11月10日
要約：
【課題】高純度のリチウムイオン正極材料であるLi2MSiO4を合成する。(Mは遷移金属)【解決手段】リチウム源、遷移金属源、Si源、炭素源を分散溶解させたものを乾燥した後に焼成する際に、炉内への酸素供給量を0.052ml/(min・m3)以下とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
リチウム源、遷移金属源、Si源、及び炭素源を液に分散して混合した混合液を、乾燥した後に不活性ガスフロー中で焼成してLi2MSiO4を得る製造方法において、
前記焼成時の酸素供給量が単位炉内体積あたり、0.052ml/(min・m3)以下であるLi2MSiO4の製造方法。
(ただし、MはFe又はMnを示す。)
IPC (3件)：
C01B 33/32
, H01M 4/58
, H01M 4/139
C01B33/32
, H01M4/58
, H01M4/1397
4G073BA02
, 4G073BA03
, 4G073BA36
, 4G073BA62
, 4G073BA63
, 4G073BA69
, 4G073BA75
, 4G073BB34
, 4G073BB76
, 4G073BD05
, 4G073BD21
, 4G073CB04
, 4G073CD01
, 4G073FB50
, 4G073FC18
, 4G073FD24
, 4G073GA03
, 4G073UB11
, 4G073UB60
, 5H050AA08
, 5H050BA16
, 5H050BA17
, 5H050CA01
, 5H050CB12
, 5H050GA02
, 5H050GA10
, 5H050GA27
, 5H050HA01
, 5H050HA02
, 5H050HA07
, 5H050HA10
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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