特許
J-GLOBAL ID：201603003083989980
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片山 修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-044484
公開番号（公開出願番号）：特開2013-182951
特許番号：特許第5991609号
出願日： 2012年02月29日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層上にNi、Ti、Au、Al、Pd、Ta、及びWのうちの少なくとも1つを含む、電界効果型トランジスタのゲート電極を形成する工程と、
プラズマ化学気相成長法を用いて、前記ゲート電極を覆い、表面に前記ゲート電極の形状を反映した段差を有する第1窒化シリコン膜を成膜する工程と、
前記第1窒化シリコン膜を成膜した後、FTIR(フーリエ変換赤外分光)法でのSi-N結合の伸縮振動における波数が前記第1窒化シリコン膜よりも高い層が前記第1窒化シリコン膜に形成されるように、窒化シリコン膜が成膜されない条件の下、前記第1窒化シリコン膜に窒素を含むガスのプラズマを照射する工程と、
前記プラズマを照射した後、前記第1窒化シリコン膜上に、プラズマ化学気相成長法を用いて、表面に前記第1窒化シリコン膜の段差の形状を反映した段差を有する第2窒化シリコン膜を成膜する工程と、
前記第2窒化シリコン膜の段差を覆う位置に、前記ゲート電極に沿って設けられてなるフィールドプレートあるいは前記ゲート電極を覆って設けられてなるソースウォールを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/283 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 21/318 ( 200 6.01)
H01L 29/80 F
, H01L 21/90 K
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/283 B
, H01L 29/44 Y
, H01L 29/80 Q
, H01L 29/80 H
, H01L 21/318 B
