高効率および/または高電力密度のワイドバンドギャップトランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-502811
公開番号（公開出願番号）：特表2009-531859
出願日： 2007年03月05日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

少なくとも4GHzの周波数で動作する場合に、40W/mm以上の電力密度を持つ電界効果トランジスタを提供する。135Vのドレイン電圧で、少なくとも40W/mmの電力密度を提供することができる。また、28V乃至48Vのドレインバイアスを与え、10GHzで動作させる場合、60%以上のPAEと少なくとも5W/mmの電力密度を有するトランジスタを提供する。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタであって、 III族窒化物チャネル層と、前記III族窒化物チャネル層の上にあるゲート電極であって、前記ゲート電極に電圧を印加した場合に前記チャネル層の導電率を変調するように構成され、1GHzを超える周波数で前記チャネル層の導電率の変調を可能とするように構成された長さを有する前記ゲート電極と、前記III族窒化物チャネル層の上にあるソース電極およびドレイン電極と、前記ゲート電極の上にある絶縁層と、前記絶縁層の上にあり、前記ソース電極に電気的に連結するフィールドプレートとを備え、前記電界効果トランジスタが、少なくとも4GHzの周波数において連続波、またはパルス動作のもとで40W/mm以上の電力密度を示すことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/41 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L29/44 Y , H01L21/28 301B , H01L29/80 Q

Fターム (44件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB22 , 4M104DD17 , 4M104DD78 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104FF28 , 4M104FF31 , 4M104GG12 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ06 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GL08 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GT05 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (29件)

米国特許第5,192,987号明細書
米国特許出願公開第10/849,617号明細書、出願日2004年5月20日
米国特許出願公開第10/849,589号明細書、出願日2004年5月20日

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審査官引用 (2件)

窒化物半導体薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-176527 出願人：日本電信電話株式会社
バリア/スペーサ層を有するIII族窒化物系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-590421 出願人：クリーインコーポレイテッド, ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア

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