赤外線発光ダイオード

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：森哲也 , 田中秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-024092
公開番号（公開出願番号）：特開2016-149392
出願日： 2015年02月10日
公開日（公表日）： 2016年08月18日
要約：

【課題】発光効率がより優れた赤外線発光ダイオードを提供する。【解決手段】基板10と、基板10上に形成され複数の化合物半導体積層部20と、複数の化合物半導体積層部20上に形成され、メサ上部22を露出する第1開口部31及びメサ下部23を露出する第2開口部32を有する絶縁層30と、一方の化合物半導体積層部20の第1開口部31と、他方の化合物半導体積層部20の第2開口部32とを介して、一方の化合物半導体積層部20と他方の化合物半導体積層部20とを電気的に接続する配線部40と、を備える。化合物半導体積層部20を平面視したときに、第1開口部31の面積はメサ上部22の面積の20%以上であり、かつ、第1開口部31と第2開口部32との最短距離Dをなす第1の方向におけるメサ上部22の長さW1は、第1の方向と平面視で直交する第2の方向におけるメサ上部22の長さL1よりも短い。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成され、In及びSbを含む材料からなるメサ部を有し、互いに分離された複数の化合物半導体積層部と、前記複数の化合物半導体積層部上に形成され、前記メサ部の上部であるメサ上部を露出する第1開口部及び前記メサ部の下部であるメサ下部を露出する第2開口部を有する絶縁層と、前記複数の化合物半導体積層部のうちの一方の化合物半導体積層部の前記第1開口部と、前記複数の化合物半導体積層部のうちの他方の化合物半導体積層部の前記第2開口部とを介して、前記一方の化合物半導体積層部と前記他方の化合物半導体積層部とを電気的に接続する配線部と、を備え、前記化合物半導体積層部を平面視したときに、前記第1開口部の面積は前記メサ上部の面積の20%以上であり、かつ、前記第1開口部と前記第2開口部との最短距離をなす第1の方向における前記メサ上部の長さW1は、前記第1の方向と平面視で直交する第2の方向における前記メサ上部の長さL1よりも短い赤外線発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/08 , H01L 33/30

FI (2件)：

H01L33/00 120 , H01L33/00 184

Fターム (22件)：

5F141AA03 , 5F141AA14 , 5F141CA04 , 5F141CA12 , 5F141CA34 , 5F141CA65 , 5F141CA66 , 5F141CA74 , 5F141CB11 , 5F141CB25 , 5F141FF16 , 5F241AA03 , 5F241AA14 , 5F241CA04 , 5F241CA12 , 5F241CA34 , 5F241CA65 , 5F241CA66 , 5F241CA74 , 5F241CB11 , 5F241CB25 , 5F241FF16

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-362262 出願人：ソニー株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-297052 出願人：京セラ株式会社
磁場中の発光素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-541679 出願人：財団法人工業技術研究院

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