特許

J-GLOBAL ID：201603003452552760

強誘電体キャパシタおよび電子デバイス

発明者： 長田 貴弘 ,  北村 健二
出願人/特許権者： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-183094
公開番号（公開出願番号）：特開2016-058516
出願日： 2014年09月09日
公開日（公表日）： 2016年04月21日
要約：

【課題】 自然エネルギーにより発生する電荷を蓄積可能な強誘電体キャパシタ、および、それを用いた電子デバイスを提供すること。【解決手段】 本発明の強誘電体キャパシタは、分極の方向が制御され、電荷蓄積領域を有する強誘電体単結晶であって、電荷蓄積領域は、強誘電体単結晶の表面の一部の領域である、強誘電体単結晶と、電荷蓄積領域の周りに位置する金属層とを備え、強誘電体単結晶と金属層との接触界面にショットキー接合が形成されており、強誘電体単結晶に基づく電荷は、電荷蓄積領域上に閉じ込められ、蓄積される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

分極の方向が制御され、電荷蓄積領域を有する強誘電体単結晶であって、前記電荷蓄積領域は、前記強誘電体単結晶の表面の一部の領域である、強誘電体単結晶と、 前記電荷蓄積領域の周りに位置する金属層と を備え、 前記強誘電体単結晶と前記金属層との接触界面にショットキー接合が形成されており、 前記強誘電体単結晶に基づく電荷は、前記電荷蓄積領域上に閉じ込められ、蓄積される、強誘電体キャパシタ。

IPC (6件)：

H01G 4/10 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/047 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (5件)：

H01G4/10 ,  H01L41/113 ,  H01L41/187 ,  H01L41/047 ,  H01L27/04 C

Fターム (18件)：

5E082AA20 ,  5E082AB10 ,  5E082BB10 ,  5E082BC40 ,  5E082EE05 ,  5E082EE37 ,  5E082FG08 ,  5E082FG27 ,  5E082FG60 ,  5E082GG10 ,  5E082PP09 ,  5E082PP10 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AR29 ,  5F038AZ07 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15