特許
J-GLOBAL ID：201603003976839340

ウエーハの加工方法

発明者：
溝本 康隆

溝本 康隆 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (5件)： 青木 宏義 ,  天田 昌行 ,  岡田 喜雅 ,  菅野 亨 ,  溝口 勉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-174304
公開番号（公開出願番号）：特開2014-033160
特許番号：特許第5995599号
出願日： 2012年08月06日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の表面に複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され、デバイスの電極から半導体基板の裏面に向かって埋設されたVia電極を有するデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に面取り部を備えたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、 外周余剰領域に切削ブレードを位置づけて所定の深さ切削し面取り部を除去する面取り部除去工程と、 該面取り部除去工程後に、ウエーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設工程と、 該キャリアプレート配設工程後に、ウエーハの裏面からVia電極の深さを検出するVia電極検出工程と、 該Via電極検出工程後に、Via電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、 該裏面研削工程後に、ウエーハの裏面から半導体基板をエッチングしてVia電極を突出させるエッチング工程と、 該エッチング工程後に、ウエーハの裏面を絶縁膜で被覆する絶縁膜被覆工程と、 該絶縁膜被覆工程後に、裏面から突出したVia電極を切削して絶縁膜から露出させると共にVia電極の頭を絶縁膜と同一面に仕上げる仕上げ工程と、 該仕上げ工程後に、Via電極の頭にバンプを配設するバンプ配設工程と、 該バンプ配設工程後に、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域に照射してキャリアプレートに配設された状態でウエーハを個々のデバイスに分割する分割溝を形成する分割溝形成工程と、 該分割溝形成工程後に、ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共にウエーハの表面からキャリアプレートを取り外しウエーハをダイシングテープに移し替える移し替え工程と、 から、構成されるウエーハの加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/304 601 Z ,  H01L 21/304 631
引用特許：
出願人引用 (5件)
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