特許
J-GLOBAL ID：201603004017049646

半導体装置

発明者：
舘野 泰範

舘野 泰範 について

, 
末光 眞希

末光 眞希 について

, 
吹留 博一

吹留 博一 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について

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国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-181575
公開番号（公開出願番号）：特開2016-058449
出願日： 2014年09月05日
公開日（公表日）： 2016年04月21日
要約：
【課題】性能の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】基板10上に設けられたグラフェン層12と、前記グラフェン層上に設けられたソース電極24およびドレイン電極26と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記グラフェン層上に設けられた第1ゲート電極20および第2ゲート電極22と、を具備し、前記第1ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ソース電極側に設けられ、前記第2ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ドレイン電極側に設けられる、半導体装置。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に設けられたグラフェン層と、 前記グラフェン層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記グラフェン層上に設けられた第1ゲート電極および第2ゲート電極と、 を具備し、 前記第1ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ソース電極側に設けられ、前記第2ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ドレイン電極側に設けられる、半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/28
FI (9件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310E ,  H01L29/44 L ,  H01L21/28 301B
Fターム (39件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  5F110AA01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ14
引用特許：
審査官引用 (6件)
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