レベルシフタ回路及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223683
公開番号（公開出願番号）：特開2002-135108
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】トランジスタの閾値のずれによってレベルシフタ回路の正常な動作が妨げられるのを防ぐ。【解決手段】入力信号をnチャネル型トランジスタのソース領域に入力し、pチャネル型トランジスタのソース領域に高電圧電源を接続し、ドレイン領域を該nチャネル型トランジスタのドレイン領域と接続した。また、nチャネル型トランジスタとpチャネル型トランジスタのゲート電極に一定のバイアス電圧をかけることで、nチャネル型トランジスタとpチャネル型トランジスタのドレイン領域の接続点から電圧レベルの高い信号を出力する。

請求項（抜粋）：

第1のpチャネル型トランジスタと、第2のpチャネル型トランジスタと、第1のnチャネル型トランジスタと、第2のnチャネル型トランジスタとを有するレベルシフタ回路であって、前記第1のpチャネル型トランジスタのゲート電極は第1の電源に接続されており、前記第1のpチャネル型トランジスタのソース領域及び前記第2のpチャネル型トランジスタのソース領域は第2の電源に接続されており、前記第1のnチャネル型トランジスタのソース領域はリファレンス入力端子に接続されており、前記第1のpチャネル型トランジスタのドレイン領域と、前記第1のnチャネル型トランジスタのドレイン領域とは接続されており、前記第1のnチャネル型トランジスタはゲート電極とドレイン領域が接続されており、前記第1のnチャネル型トランジスタのゲート電極は、前記第2のpチャネル型トランジスタのゲート電極及び前記第2のnチャネル型トランジスタのゲート電極に接続されており、前記第2のnチャネル型トランジスタのソース領域は入力端子に接続されており、前記第2のpチャネル型トランジスタのドレイン領域及び前記第2のnチャネル型トランジスタのドレイン領域は出力端子に接続されていることを特徴とするレベルシフタ回路。

IPC (4件)：

H03K 19/0185 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 29/786

FI (4件)：

H03K 19/00 101 D , H01L 29/78 614 , H01L 29/78 613 A , H01L 27/04 G

Fターム (62件)：

5F038BG03 , 5F038EZ20 , 5F110AA25 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF12 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ11 , 5F110HJ12 , 5F110HM15 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5J056AA11 , 5J056AA32 , 5J056BB37 , 5J056CC00 , 5J056CC21 , 5J056DD29 , 5J056EE03 , 5J056EE11 , 5J056FF08 , 5J056HH01 , 5J056HH02 , 5J056KK01 , 5J056KK02

引用特許：

審査官引用 (7件)

論理振幅レベル変換回路,液晶装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-310856 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-297669 出願人：富士通株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-325465 出願人：株式会社東芝

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