特許
J-GLOBAL ID：201603004556456948
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-272984
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120540
特許番号：特許第6007770号
出願日： 2012年12月14日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置であって、
p型半導体層と、
前記p型半導体層に接続されたn型半導体層と、
前記n型半導体層に形成された第1の電極層と、
前記p型半導体層に形成された第2の電極層と、
前記p型半導体層における前記第2の電極層が形成された位置に対して前記n型半導体層を挟んで対向する位置に形成された制御電極層と、
を備え、
前記第1の電極層と前記第2の電極層とは、互いに同電位で動作するように電気的に接続されており、
前記第1の電極層は、前記第2の電極層における前記p型半導体層に接する表面とは反対側の表面の少なくとも一部に接続されており、
前記第2の電極層は、前記p型半導体層に加えて、前記p型半導体層と前記n型半導体層との境界に接すると共に、前記境界よりも前記制御電極層側の位置まで前記n型半導体層の表面上を延伸するように形成されており、
前記境界から前記第2の電極層の前記n型半導体層に接する表面における前記制御電極層側の端までの距離は、前記n型半導体層の層厚以上である、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/50 M
