特許

J-GLOBAL ID：201603004568667286

窒化アルミニウム結晶の製造方法

発明者： 福山 博之 ,  安達 正芳 ,  杉山 正史 ,  飯田 潤二
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-034678
公開番号（公開出願番号）：特開2016-155711
出願日： 2015年02月25日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：

【課題】Ga-Al合金融液を用いてシード基板上にAlN結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法において、シード基板上に成長したAlN結晶膜表面に雑晶が付着しない窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Ga-Al合金融液6中の種結晶基板4上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法による窒化アルミニウム結晶の製造方法において、上記窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させた後の上記基板4の冷却を上記Ga-Al合金融液6中で行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Ga-Al合金融液中の種結晶基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法による窒化アルミニウム結晶の製造方法において、 上記窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させた後の上記基板の冷却を上記Ga-Al合金融液中で行うことを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/04

FI (2件)：

C30B29/38 C ,  C30B19/04

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA01 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化アルミニウム結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-050415   出願人：住友金属鉱山株式会社, 国立大学法人東北大学