特許
J-GLOBAL ID：201603004624337804
MEMS素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-130855
公開番号（公開出願番号）：特開2016-007681
出願日： 2014年06月26日
公開日（公表日）： 2016年01月18日
要約：
【課題】追加の製造工程なしで、バックチャンバーの容積を大きくすることができるMEMS素子を提供する。【解決手段】MEMS素子は、可動電極3が基板側に露出するように基板が除去された第1のバックチャンバー部11が形成され、その外側には可動電極3、スペーサー4、固定電極が積層形成された基板からなる電極支持部14と、さらにその外側に基板が除去された第2のバックチャンバー部12が形成されており、第1のバックチャンバー部11と第2のバックチャンバー部12とは、それぞれの空間が連続するように連通部が形成されている。第1のバックチャンバー11と第2のバックチャンバー12は、一般的なバックチャンバーと同様に形成することができる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
バックチャンバーを備えた基板上に、スペーサーを挟んで固定電極と可動電極とを対向配置したMEMS素子において、
前記可動電極が露出するように前記基板が除去された第1のバックチャンバー部と、該第1のバックチャンバー部を区画し、前記スペーサーを介して前記固定電極と前記可動電極を支持する電極支持部と、該電極支持部を区画するように前記基板が除去された第2のバックチャンバー部と、前記第1のバックチャンバー部と第2のバックチャンバー部とを連続される連通部とを備えていることを特徴とするMEMS素子。
IPC (4件)：
B81B 3/00
, H04R 19/04
, H04R 31/00
, B81C 1/00
B81B3/00
, H04R19/04
, H04R31/00 C
, B81C1/00
3C081AA19
, 3C081BA03
, 3C081BA45
, 3C081BA48
, 3C081BA56
, 3C081BA76
, 3C081CA14
, 3C081CA29
, 3C081EA21
, 5D021CC20
