特許
J-GLOBAL ID：201603004810277269
ガスセンサ素子、ガスセンサ及びガスセンサ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-195496
公開番号（公開出願番号）：特開2016-065816
出願日： 2014年09月25日
公開日（公表日）： 2016年04月28日
要約：
【課題】複合セラミック層の電解質部と絶縁部との境界に跨がって形成された導体層にクラックや断線が生じにくいガスセンサ素子を提供する。【解決手段】ガスセンサ素子は、絶縁部112及び貫通孔112h内に配置された電解質部131を有する複合セラミック層と、絶縁部112の第1絶縁主面113と電解質部131の第1電解質主面133とに跨って形成された第1導体層150とを備え、電解質部131は絶縁部112よりも薄く、電解質部131の第1電解質主面133は絶縁部112の第1絶縁主面113よりも厚み方向内側DTNに位置する。絶縁部112は、第1絶縁主面側に、第1電解質主面133に重なり、貫通孔112hの内側DR1に向かって突出する突出部122を有し、突出部122は貫通孔112hの内側DR1ほど厚みが薄い形態を有し、導体層150は、突出部122上の突出面122sと第1電解質主面133とに跨がって形成されてなる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
厚み方向に貫通する貫通孔が形成された絶縁性セラミックからなる板状の絶縁部、及び上記貫通孔内に配置されると共に、固体電解質セラミックからなる板状の電解質部、を有する複合セラミック層と、
上記絶縁部の上記厚み方向に交差する第1絶縁主面と、上記電解質部の上記厚み方向に交差する第1電解質主面とに跨って形成された第1導体層と、を備える
ガスセンサ素子であって、
上記電解質部の厚みは、上記絶縁部の厚みよりも薄く、
上記電解質部の上記第1電解質主面は上記絶縁部の上記第1絶縁主面よりも厚み方向内側に位置してなり、
上記絶縁部は、その上記第1絶縁主面側に、上記電解質部の上記第1電解質主面に重なって、上記貫通孔の内側に向かって突出する突出部を有してなり、
上記突出部は、上記貫通孔の上記内側ほど厚みが薄く、上記突出部の上記厚み方向外側の突出面は、上記貫通孔の上記内側ほど上記厚み方向内側に位置する形態を有し、
上記第1導体層は、上記突出面と、上記第1電解質主面とに跨がって形成されてなる
ガスセンサ素子。
IPC (2件)：
G01N 27/409
, G01N 27/419
G01N27/58 B
, G01N27/46 327K
2G004BB04
, 2G004BD04
, 2G004BE01
, 2G004BJ03
