特許
J-GLOBAL ID：201603004923766649
加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
, 岡田 喜雅
, 菅野 亨
, 溝口 勉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-086453
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219108
特許番号：特許第6029307号
出願日： 2012年04月05日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ウェーハの表面から分割予定ラインに沿ってチップの仕上げ厚みよりも深い溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程の後に、前記溝が形成されたウェーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
前記保護テープ貼着工程を実施後に、ウェーハの裏面を研削して裏面に前記溝を表出させウェーハを個々のチップに分離する研削工程と、
前記研削工程を実施後に、個々のチップに分離されたウェーハの裏面に接着フィルムを貼着し次いで該接着フィルムの裏面にエキスパンドテープを貼着する貼着工程と、
前記貼着工程を実施後に、前記保護テープを剥離する保護テープ剥離工程と、
前記保護テープ剥離工程を実施後に、チップ間に露出した前記接着フィルム側から前記接着フィルムの底面近傍に集光点を位置づけて、前記接着フィルムが吸収する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すレーザー光線照射工程と、
前記レーザー光線照射工程を実施後に、前記エキスパンドテープを拡張して前記接着フィルムに張力を作用せしめ、前記接着フィルムのアブレーション加工した領域を破断の起点として前記接着フィルムを個々のデバイスに沿って破断する接着フィルム破断工程と、から構成され、
前記レーザー光線は、前記集光点が位置づけられる前記接着フィルムの底面近傍においてアブレーション加工可能で且つ前記接着フィルム上面においては接着フィルムのアブレーションを抑えたパワー密度であることを特徴とする加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01)
, H01L 21/304 ( 200 6.01)
H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 P
, H01L 21/304 631
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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