特許
J-GLOBAL ID：201603005217704149
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 平野 裕之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-011524
公開番号（公開出願番号）：特開2016-139804
出願日： 2016年01月25日
公開日（公表日）： 2016年08月04日
要約：
【課題】プラズマ処理のような特別な工程を経ることなく製造することができ、異種材料、特にアンダーフィル6及び封止材7との密着性に優れる絶縁層3を備える半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本開示は、基板20と当該基板20上に設けられた絶縁層3とを備え、絶縁層3の基板20側とは反対側の表面の少なくとも一部に、最大深さが0.1μm以上である凹部3aが形成されており、当該表面の凹部3aを少なくとも1つ含む面積0.16m2の領域において、当該凹部3aが占める面積の割合が5%以上である半導体装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と当該基板上に設けられた絶縁層とを備え、
前記絶縁層の前記基板側とは反対側の表面の少なくとも一部に、最大深さが0.1μm以上である凹部が形成されており、
当該表面の前記凹部を少なくとも1つ含む面積0.16mm2の領域において、当該凹部が占める面積の割合が5%以上である半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, G03F 7/027
, G03F 7/029
, H05K 3/28
H01L23/12 F
, G03F7/027 515
, G03F7/027 502
, G03F7/029
, H05K3/28 D
2H125AC36
, 2H125AC54
, 2H125AD07
, 2H125AD15
, 2H125AE12P
, 2H125AE15P
, 2H125AM48P
, 2H125AN39P
, 2H125AN47P
, 2H125AN61P
, 2H125AN62P
, 2H125AN82P
, 2H125AP09P
, 2H125BA01P
, 2H125BA09P
, 2H125BA20P
, 2H125BA22P
, 2H125CA13
, 2H125CB02
, 2H125CC01
, 2H125CC13
, 5E314AA27
, 5E314AA32
, 5E314AA42
, 5E314AA48
, 5E314BB02
, 5E314BB10
, 5E314CC02
, 5E314CC07
, 5E314CC15
, 5E314FF03
, 5E314FF04
, 5E314FF05
, 5E314FF06
, 5E314FF19
, 5E314GG11
