特許

J-GLOBAL ID：200903005848236702

配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置

発明者： 大西 学
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-136954
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322659
出願日： 2004年05月06日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

【課題】 近年、環境負荷物質の使用規制が強まっており、電子部品を実装する際に使用される半田も環境負荷物質である鉛を使用しない鉛フリー半田の使用が広がっている。しかしながら鉛フリー半田は従来の鉛半田に比べ溶融温度が高いため電子材料の実装温度も高温になっている。電子部品の実装の際に半導体キャリアと封止樹脂間の界面剥離等の品質問題が生じない電子部品の開発が求められている。【解決手段】 半導体素子6をフリップチップ実装する配線基板1において半導体素子6を実装する領域内に導電性ペースト3を充填しないダミービア8を形成し、封止樹脂9をダミービア8に充填することにより配線基板1と封止樹脂9との密着性を向上させることを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

突起電極を有する半導体素子がフェースダウン実装され、実装された半導体素子との間に封止樹脂が充填される配線基板であって、封止樹脂が充填されるダミービアが半導体素子に臨む領域に形成されていることを特徴とする配線基板。

IPC (6件)：

H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K1/18 ,  H05K3/28 ,  H05K3/40

FI (6件)：

H01L21/56 E ,  H01L21/60 311Q ,  H05K1/18 L ,  H05K3/28 B ,  H05K3/40 K ,  H01L23/12 F

Fターム (37件)：

5E314AA25 ,  5E314BB06 ,  5E314BB13 ,  5E314CC06 ,  5E314DD06 ,  5E314FF02 ,  5E314FF12 ,  5E314FF27 ,  5E314GG11 ,  5E317AA24 ,  5E317AA28 ,  5E317BB04 ,  5E317BB16 ,  5E317BB17 ,  5E317CC22 ,  5E317CC25 ,  5E317CD21 ,  5E317CD32 ,  5E317CD34 ,  5E317GG03 ,  5E336AA04 ,  5E336BB02 ,  5E336BB03 ,  5E336BB18 ,  5E336BC01 ,  5E336CC31 ,  5E336CC58 ,  5E336EE01 ,  5E336GG16 ,  5F044KK07 ,  5F044KK10 ,  5F044LL01 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-268718   出願人：松下電子工業株式会社
• 配線転写シートとその製造方法、および配線基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-115684   出願人：松下電器産業株式会社