特許

J-GLOBAL ID：201603005246781152

半導体装置

発明者： 森川 直樹 ,  陳 訳
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-229390
公開番号（公開出願番号）：特開2016-096165
出願日： 2014年11月12日
公開日（公表日）： 2016年05月26日
要約：

【課題】高耐圧で逆方向漏れ電流が少なく、ESD耐量が高いショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】縦方向に電流を流すショットキーバリアダイオードにおいて、N型シリコン中のP型ガードリングの下部に、複数の円柱型のP型拡散層、または球形のP型拡散層がストライプ状に複数列埋め込まれ、複数列埋め込まれたP型拡散層は、アノード側からカソード側に向かうにつれて間隔が広くなる。また、ガードリング下の複数の円柱型のP型拡散層は、球型でも同じ効果が得られる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

縦方向に電流を流すショットキーバリアダイオードにおいて、N型シリコン中のP型ガードリングの下部領域に、複数の円柱型のP型拡散層がストライプ状に複数列埋め込まれ、複数列埋め込まれた円柱形のP型拡散層の間隔は、アノード側からカソード側に向かうに従って広くなる構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/06

FI (4件)：

H01L29/86 301F ,  H01L29/48 E ,  H01L29/48 F ,  H01L29/06 301D

Fターム (9件)：

4M104AA01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF02 ,  4M104FF07 ,  4M104FF17 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-073290   出願人：三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社
• パワー半導体デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-547577   出願人：フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション