特許
J-GLOBAL ID：200903005389806622
パワー半導体デバイスおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-547577
公開番号（公開出願番号）：特表2007-529115
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
改善されたパワーデバイスに対するさまざまな実施例と同様に、その製造方法,多種多様のパワーエレクトロニックアプリケーションにおける使用に対して、当該パワーデバイスを組み込んだパッケージングおよび回路が開示されている。本発明の1つのアスペクトは、多くの電荷調整法および寄生容量を低減する他の方法を組み合わせることによって、改善された電圧性能,速いスイッチング速度および低いオン抵抗を有するパワーデバイスに対する異なる実施例に至る。本発明の別のアスペクトは、低電圧,中程度の電圧および高電圧のデバイスに対する、改善された終端構造を与える。パワーデバイス製造の改善された方法は、本発明の他のアスペクトによって与えられている。例えば、トレンチの形成,トレンチ内部の誘電体層の形成,メサ構造の形成および基板厚さを低減する工程のような、特定の処理ステップに対する改善が示されている。本発明の他のアスペクトによると、電荷調整パワーデバイスは、例えば同じチップ上のダイオードのような、温度および電流の検出部を組み込んでいる。本発明の他のアスペクトは、パワーデバイスに対する等価直列抵抗(ESR)を改善し、パワーデバイスと同じチップ上にさらなる回路を組み込み、電荷調整パワーデバイスのパッケージングに対する改善を与える。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスであって、
第1の導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上に伸長し且つ前記第1の導電型と反対である第2の導電型を有する井戸領域と、
前記井戸領域を通って前記ドリフト領域中に伸長するアクティブトレンチと、
前記アクティブトレンチに隣接した、前記井戸領域に形成された前記第1の導電型を有するソース領域と、
前記アクティブトレンチより前記ドリフト領域中に深く伸長し且つ前記ドリフト領域において垂直電荷制御をする材料で充填される電荷制御トレンチと、
を含み、前記アクティブトレンチは、誘電体で囲まれた側壁と底部とを有し、第1のシールド導電層およびゲート導電層で充填されており、前記第1のシールド導電層は、前記ゲート導電層の下に配置され且つ電極間誘電体によって当該ゲート電極から分離されていることを特徴とする半導体デバイス。
IPC (9件)：
H01L 29/78
, H01L 21/76
, H01L 29/06
, H01L 21/336
, H01L 27/04
, H01L 21/823
, H01L 27/06
, H01L 21/822
, H01L 29/861
H01L29/78 653C
, H01L29/78 652R
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 652N
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658Z
, H01L29/78 657G
, H01L27/06 102A
, H01L29/06 301F
, H01L29/06 301G
, H01L27/04 H
, H01L29/91 Z
5F038AV06
, 5F038AZ08
, 5F038BB05
, 5F038BH04
, 5F038BH10
, 5F038BH13
, 5F038BH16
, 5F038CA08
, 5F038EZ20
, 5F048AB10
, 5F048AC06
, 5F048AC10
, 5F048BA02
, 5F048BA07
, 5F048BA12
, 5F048BB19
, 5F048BC03
, 5F048BC12
, 5F048BD06
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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