特許
J-GLOBAL ID：201603005314122111
プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-247782
公開番号（公開出願番号）：特開2014-096500
特許番号：特許第6017928号
出願日： 2012年11月09日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 有機膜と所定のパターンを有するフォトレジストとが順に積層された被処理体と対向して配置されたシリコンを含む上部電極に負の直流電圧を印加しながらHBr/Arガスのプラズマにより前記フォトレジストに対して、平滑化処理及び堆積処理の少なくともいずれか一つの改質処理を実行する改質工程と、
改質された前記フォトレジストをマスクとしてCF系ガス及びCHF系ガスを含む処理ガスのプラズマにより前記有機膜をエッチングするエッチング工程と
を含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, G03F 7/40 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302 105 A
, H01L 21/302 101 B
, G03F 7/40 501
, G03F 7/40 521
, H05H 1/46 M
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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