特許
J-GLOBAL ID：201103049076907245
被処理体の処理方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-207490
公開番号（公開出願番号）：特開2011-060916
出願日： 2009年09月08日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：
【課題】 フォトレジスト層の高さの減少をより強力に抑制できる被処理体の処理方法を提供すること。【解決手段】 被処理体Wが、有機膜と、この有機膜上に形成されたフォトレジスト層とを備え、処理ガスとして水素を含む処理ガスを用い、第1電極5に直流負電圧を印加しながら、フォトレジスト層をマスクに用いて、有機膜を、水素を含むプラズマによりエッチングする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
処理容器内に、第1電極および被処理体を支持する第2電極を対向して配置し、
前記処理容器内に処理ガスを供給し、前記第1電極および前記第2電極間に高周波電力を印加して前記第1電極および前記第2電極間に前記処理ガスのプラズマを生成させて、前記第2電極に支持された前記被処理体にプラズマ処理を施す被処理体の処理方法であって、
前記被処理体が、有機膜と、この有機膜上に形成されたフォトレジスト層とを備え、
前記処理ガスとして水素を含む処理ガスを用い、
前記第1電極に直流負電圧を印加しながら、前記フォトレジスト層をマスクに用いて、前記有機膜を、水素を含むプラズマによりエッチングすることを特徴とする被処理体の処理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F004AA16
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F004BB28
, 5F004CA06
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DB03
, 5F004DB23
, 5F004EA22
