特許
J-GLOBAL ID:201603005561516530

電界効果トランジスタ、表示用パネル及び重合体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 重野 剛
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-079128
公開番号(公開出願番号):特開2013-211321
特許番号:特許第5974588号
出願日: 2012年03月30日
公開日(公表日): 2013年10月10日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板に配設されたゲート電極と、前記ゲート電極に接して形成されたゲート絶縁層と、ソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極に接して形成された半導体層と、該半導体層に対して、前記ゲート絶縁層とは反対側に形成された保護層とを備え、前記保護層は下記式(a)および(b)で表される繰り返し単位を含む重合体を含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。 (式(a),(b)において、Ra1、Rb1はそれぞれ独立に水素原子、またはメチル基を表す。Ra2は下記式(x1)または(x2)で表される1価の有機基であり、Rb2は下記式(y1)または(y2)で表される1価の有機基である。なお、1分子中に上記式(a)で表される繰り返し単位が複数種含まれていてもよく、上記式(b)で表される繰り返し単位が複数種含まれていてもよい。) (式(x1),(x2)において、Rx1、Rx2はそれぞれ独立に水素原子、もしくは置換基を有していても良い炭素数1から20の1価の有機基を表す。ただし、Rx1とRx2のうちの少なくとも一方は、置換基を有していても良い炭素数が1から20の1価の有機基である。 式(x2)において、Rx3は置換基を有していても良い炭素数1から10の2価の炭化水素基を表す。) (式(y1),(y2)において、Rfはフッ素原子で置換された炭素数1から20の1価の脂肪族炭化水素基を表す。)
IPC (5件):
H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  C08F 220/26 ( 200 6.01)
FI (5件):
H01L 29/28 280 ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 618 B ,  C08F 220/26
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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