特許

J-GLOBAL ID：201603005633175082

単結晶SiC基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶SiC基板の表面加工用研削プレート

発明者： 貴堂 高徳 ,  加藤 智久
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  荒 則彦 ,  三國 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-026081
公開番号（公開出願番号）：特開2014-151425
特許番号：特許第6016301号
出願日： 2013年02月13日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶SiCよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも1種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行うことを特徴とする単結晶SiC基板の表面加工方法。

IPC (5件)：

B24B 1/00 ( 200 6.01) ,  C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 33/00 ( 200 6.01) ,  B24D 3/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01)

FI (8件)：

B24B 1/00 B ,  C30B 29/36 A ,  C30B 33/00 ,  B24D 3/00 320 A ,  B24D 3/00 350 ,  B24D 3/00 310 Z ,  H01L 21/304 622 W ,  H01L 21/304 622 F