特許
J-GLOBAL ID：201603005906817708

一様な抵抗を有するドーピングされたシリコンインゴットを形成する方法

発明者：
ジョルディ、ベルマン

ジョルディ、ベルマン について

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セバスティアン、デュボワ

セバスティアン、デュボワ について

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ニコラス、アンジャルベール

ニコラス、アンジャルベール について


出願人/特許権者：
コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ

コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ について


代理人 (3件)： 勝沼 宏仁 ,  前川 英明 ,  箱田 満
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-538521
公開番号（公開出願番号）：特表2016-500641
出願日： 2013年10月23日
公開日（公表日）： 2016年01月14日
要約：
シリコンインゴットを形成する方法は、変動する電気的抵抗を有し、格子間酸素を含むシリコンインゴットを用意する工程(F1)と、シリコンインゴットの異なる区域における格子間酸素濃度を測定する工程(F2)と、異なる区域で創出されるべきサーマルドナー濃度を計算し、電気的抵抗の目標値に達する工程(F3)と、シリコンインゴットの異なる区域をアニーリングにかけ、サーマルドナーを形成する工程(F5)とを含む。各区域におけるアニーリング温度は、その区域のサーマルドナー及び格子間酸素濃度から、及びアニーリング時間から決定(F4)される。
請求項（抜粋）：
シリコンインゴットを形成する方法であって、 - 変動する電気的抵抗(ρ)を有し、格子間酸素を含むシリコンインゴットを用意する工程(F1)と、 - 前記シリコンインゴットの異なる区域における前記格子間酸素濃度(C0)を測定する工程(F2)と、 - 前記異なる区域で創出されるべきサーマルドナー濃度(NDDT、NDT)を計算し、電気的抵抗の目標値(ρT)に達する工程(F3)と、 - 前記シリコンインゴットの前記異なる区域を、予め決められた時間(t)の間、アニーリングにかけ、前記サーマルドナーを形成する工程(F5)とを含んでなり、各区域における前記アニーリング温度(T)が、前記区域の前記サーマルドナーの濃度(NDDT、NDT)及び格子間酸素濃度(C0)から、及び前記アニーリング時間から決定される、シリコンインゴットを形成する方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ,  C30B 33/02
FI (2件)：
C30B29/06 B ,  C30B33/02
Fターム (19件)：
4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072BB01 ,  4G072GG03 ,  4G072QQ20 ,  4G072UU30 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077FE11 ,  4G077GA01 ,  4G077GA06 ,  4G077GA07 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
  • 高抵抗率シリコン構造体およびその製造方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-512500   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
  • 特開平4-298042
  • 特開平4-298042
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引用文献：
出願人引用 (1件)
  • Kazumi Wada et al.
審査官引用 (3件)
  • Kazumi Wada et al.
  • Kazumi Wada et al.
  • Kazumi Wada et al.

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