特許
J-GLOBAL ID：201603005948052957

小型超音波トランスデューサーを分離するためのレイアウト及び方法

発明者：
チェリル・ライス

チェリル・ライス について

, 
ドンジュエン・クリス・シー

ドンジュエン・クリス・シー について


出願人/特許権者：
ヴォルカノ コーポレイション

ヴォルカノ コーポレイション について


代理人 (1件)： アクシス国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-550738
公開番号（公開出願番号）：特表2016-508052
出願日： 2013年12月23日
公開日（公表日）： 2016年03月17日
要約：
本開示は、ウェハーから複数の小型超音波トランスデューサーを分離する方法を提供する。方法は、複数の小型超音波トランスデューサーが形成されたウェハーを受け取ることを含む。各小型超音波トランスデューサーは、圧電材料を含むトランスデューサー膜を含む。方法は、ウェハーの表面から、ウェハーに複数のトレンチをエッチングすることを含む。各トレンチは、平面視にて小型超音波トランスデューサーの個別の一つを少なくとも部分的に取り囲む。各トレンチは、ほぼ丸み付けられた区分を含む。方法は、表面の反対の裏面からウェハーを薄くすることを含む。ウェハーを薄くすることは、トレンチが裏面に開口するように行われる。方法は、ウェハーにダイシング工程を実行し、お互いに小型超音波トランスデューサーを分離することを含む。ダイシング工程は、ウェハーに交差切断を形成することなく実行される。
請求項（抜粋）：
基板; 前記基板に形成されたウェル;及び 前記ウェル上に配されたトランスデューサー膜にして、圧電層を含むトランスデューサー膜を備え、 前記基板の少なくとも一部が、平面視してほぼ丸み付けられた輪郭を有する、小型超音波トランスデューサー。
IPC (3件)：
A61B 8/12 ,  H04R 31/00 ,  H04R 17/00
FI (3件)：
A61B8/12 ,  H04R31/00 330 ,  H04R17/00 330A
Fターム (13件)：
4C601BB06 ,  4C601BB14 ,  4C601EE30 ,  4C601FE04 ,  4C601GA14 ,  4C601GB05 ,  4C601GB14 ,  4C601GB41 ,  4C601GB45 ,  5D019BB04 ,  5D019BB11 ,  5D019FF04 ,  5D019HH01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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