特許

J-GLOBAL ID：201603005948436232

シリコンウェーハ用研磨液組成物、又はシリコンウェーハ用研磨液組成物キット

発明者： 三浦 穣史
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-216835
公開番号（公開出願番号）：特開2016-127268
出願日： 2015年11月04日
公開日（公表日）： 2016年07月11日
要約：

【課題】本発明は、研磨されたシリコンウェーハ表面の表面粗さ(ヘイズ)及び表面欠陥(LPD)を、安定して低減可能とする、シリコンウェーハ用研磨液組成物及びシリコンウェーハ用研磨液組成物キットを提供する。【解決手段】本発明のシリコンウェーハ用研磨液組成物は、シリカ粒子と塩基性化合物と水系媒体とを含むシリカ粒子分散液と、水溶性高分子化合物と水系媒体とを含む添加剤水溶液とを混合して得たシリコンウェーハ用研磨液組成物であって、前記シリカ粒子分散液は、前記シリカ粒子と前記塩基性化合物と前記水系媒体とを混合して得た25°CにおけるpHが9以上11以下の混合液を10°C以上80°C以下に1日間以上保持して得たもの、又は、波長600nmの光の透過率が、前記シリカ粒子の含有量が5質量%以上20質量%以下のいずれかの場合において、5.0%以上30%以下であるものである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シリカ粒子と塩基性化合物と水系媒体とを含むシリカ粒子分散液と、水溶性高分子化合物と水系媒体とを含む添加剤水溶液とを混合して得たシリコンウェーハ用研磨液組成物であって、 前記シリカ粒子分散液の波長600nmの光の透過率が、前記シリカ粒子の含有量が5質量%以上20質量%以下のいずれかの場合において、5.0%以上30%以下である、シリコンウェーハ用研磨液組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (30件)：

3C158AA07 ,  3C158AA09 ,  3C158CA04 ,  3C158CB01 ,  3C158CB10 ,  3C158DA02 ,  3C158DA12 ,  3C158DA17 ,  3C158EA11 ,  3C158EB01 ,  3C158ED01 ,  3C158ED04 ,  3C158ED10 ,  3C158ED21 ,  3C158ED24 ,  3C158ED26 ,  3C158ED28 ,  5F057AA03 ,  5F057AA28 ,  5F057BA12 ,  5F057BB03 ,  5F057CA11 ,  5F057DA03 ,  5F057EA01 ,  5F057EA07 ,  5F057EA16 ,  5F057EA21 ,  5F057EA29 ,  5F057EA33 ,  5F057EA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-158219   出願人：株式会社ルネサステクノロジ