特許

J-GLOBAL ID：200903003869197097

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 中林 伸一 ,  安部 寿彦 ,  太田 勝啓
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-158219
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303520
出願日： 2006年06月07日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】化学機械研磨工程で使用する研磨スラリ中の凝集粒子密度を低減し、マイクロスクラッチの発生を抑制する。【解決手段】量産プロセスを流れる各ウエハの被処理面に研磨スラリを供給して化学機械研磨処理を行う際、容器に充填した状態で少なくとも30日以上、好ましくは40日以上、より好ましくは50日以上静止放置することによって、粒径1μm以上の凝集粒子の濃度が20万個/0.5cc以下、好ましくは5万個/0.5cc以下、より好ましくは2万個以下/0.5ccとなった研磨スラリを使用する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

(a)ウエハの主面上に形成した耐酸化性絶縁膜をマスクに用いて前記ウエハの主面の素子分離領域をエッチングすることにより、前記ウエハの主面の前記素子分離領域に溝を形成する工程、 (b)前記溝の内部を含む前記ウエハの主面上に酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程、 (c)前記耐酸化性絶縁膜を研磨のストッパに用いて前記酸化シリコン系絶縁膜を化学機械研磨し、前記酸化シリコン系絶縁膜を前記溝の内部に選択的に残すことによって、前記ウエハの主面の前記素子分離領域に研磨平坦化絶縁膜分離溝を形成する工程を含み、 前記酸化シリコン系絶縁膜を化学機械研磨する際、粒径1μm以上の凝集粒子の濃度が20万個/0.5cc以下になるまで静止放置した研磨スラリを使用することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB02 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 分散/凝集状態を制御した遊離砥粒スラリー、その製造法及びその分散方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-094192   出願人：東京磁気印刷株式会社
• 研磨用スラリー、その調製方法及び化学的・機械的研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-049915   出願人：ソニー株式会社
• 研磨剤の保管方法及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-003180   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

• 研磨剤及び半導体基板のポリッシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-109176   出願人：株式会社東芝, 株式会社トクヤマ
• 酸化セリウム研磨剤、基板の研磨法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-184791   出願人：日立化成工業株式会社
• 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-349242   出願人：日立化成工業株式会社
• LSIデバイス研磨用研磨材組成物及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-373777   出願人：昭和電工株式会社