特許

J-GLOBAL ID：201603006052742055

光電変換素子およびその製造方法

発明者： 常深 剛 ,  中村 淳一 ,  生野 利典 ,  中村 京太郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 川上 桂子 ,  松山 隆夫 ,  坂根 剛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-066454
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197555
特許番号：特許第6032911号
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板と、 前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第1の不純物層を少なくとも含む第1の非晶質膜と、 前記半導体基板の面内方向において前記第1の非晶質膜に隣接して前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、前記第1の導電型を有する第2の不純物層を少なくとも含む第2の非晶質膜とを備え、 前記第1および第2の非晶質膜の一方と前記半導体基板との界面は、前記半導体基板の厚み方向において、前記第1および第2の非晶質膜の他方と前記半導体基板との界面と異なる位置に存在し、 前記第2の非晶質膜の一部は、前記半導体基板の面内方向において前記第2の非晶質膜に隣接する前記第1の非晶質膜の電極が配置される面に接して前記第1の非晶質膜の一部の上に配置されるとともに、前記半導体基板の面内方向において前記第2の非晶質膜の外側に向かって膜厚が徐々に薄くなるテーパ形状を有する、光電変換素子。

IPC (1件)：

H01L 31/0747 ( 201 2.01)

FI (1件)：

H01L 31/06 455

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-044435   出願人：三洋電機株式会社
• 背面ヘテロ接合太陽電池製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-528733   出願人：コミサリアアレネルジアトミク
• 光起電力素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-332549   出願人：三洋電機株式会社
• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-250723   出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-250723   出願人：三洋電機株式会社
• 背面ヘテロ接合太陽電池製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-528733   出願人：コミサリアアレネルジアトミク
• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-044435   出願人：三洋電機株式会社
• 光起電力素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-332549   出願人：三洋電機株式会社