特許

J-GLOBAL ID：201603006250062183

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  鈴木 邦彦 ,  高橋 正弘
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-122772
公開番号（公開出願番号）：特開2016-181719
出願日： 2016年06月21日
公開日（公表日）： 2016年10月13日
要約：

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分(水素原子や、H2Oなど水素原子を含む化合物)などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び/又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極上に第1の酸化物絶縁膜を形成し、 前記第1の酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜上に、珪素、酸素、及びハロゲン元素を含む第2の酸化物絶縁膜を形成し、 前記第2の酸化物絶縁膜を形成後、前記酸化物半導体膜に加熱処理を行って、前記酸化物半導体膜の少なくとも一部から水素を低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619

Fターム (77件)：

5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-112443   出願人：富士通株式会社
• 発光装置とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-036044   出願人：キヤノン株式会社