特許
J-GLOBAL ID：201603006329018716
フルオロカーボン用の金属カーバイドバリア層を形成する方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-531887
特許番号：特許第5925898号
出願日： 2012年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体デバイス内においてフルオロカーボン膜用の金属カーバイドバリア層を形成する方法であって:
基板上にフルオロカーボン膜を堆積する工程;
第1温度で前記フルオロカーボン膜上に金属含有層を堆積する工程であって、前記金属含有層が前記フルオロカーボン膜と反応することで、前記金属含有層と前記フルオロカーボン膜との間の界面に金属フッ化物層が形成される、工程;
前記第1温度よりも高い第2温度で前記金属含有層を熱処理する工程;
を有し、
前記金属含有層を熱処理する工程は、前記金属含有層を介する拡散によって前記金属フッ化物層からフッ素を除去し、かつ、前記金属含有層と前記フルオロカーボン膜との間の界面に金属カーバイド層のバリア層を形成し、
前記金属含有層は、ブリスタリング又は剥離を起こすことなく前記第2温度での前記熱処理工程に耐える、
方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
H01L 21/88 R
, H01L 21/90 K
, H01L 21/88 M
