特許
J-GLOBAL ID：200903005561585447

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
堀込 正弘

堀込 正弘 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-174429
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004841
出願日： 2006年06月23日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】フッ素添加カーボン膜を絶縁膜例えば層間絶縁膜として用い、この絶縁膜に銅を含む金属配線を形成するにあたり、絶縁膜と金属配線との間において、フッ素及び銅の拡散を防ぐこと。【解決手段】フッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜と、この絶縁膜に形成された銅配線と、の間に、フッ素の拡散を防止するための第1の膜であるチタン膜を形成し、第1の膜と胴配線との間に銅の拡散を防止するための第2の膜であるタンタル膜を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
フッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜と、 この絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、 前記絶縁膜と銅配線との間に形成されたバリア膜と、を備え、 前記バリア膜は、フッ素の拡散を抑えるためのチタンからなる第1の膜と、この第1の膜と銅配線との間に形成され、銅の拡散を抑えるためのタンタルからなる第2の膜と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (2件)：
H01L21/88 R ,  H01L21/90 J
Fターム (30件)：
5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX10 ,  5F033XX28
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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