特許
J-GLOBAL ID：201603006497538440

イオンビーム照射装置

発明者：
ヴァスケズ マグダレノ ジュニア

ヴァスケズ マグダレノ ジュニア について

, 
高橋 正人

高橋 正人 について


出願人/特許権者：
日新イオン機器株式会社

日新イオン機器株式会社 について


代理人 (3件)： 西村 竜平 ,  佐藤 明子 ,  齊藤 真大
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-231235
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082174
特許番号：特許第6028515号
出願日： 2012年10月18日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ビーム進行方向に直交する断面におけるビーム断面形状が概略長方形形状のイオンビームが、そのビーム断面の長辺よりも寸法の大きい基板に対して照射されるように構成されたイオンビーム照射装置であって、 ビーム断面における長辺方向の端部を遮蔽するマスクを備え、 前記マスクをイオンビームのビーム進行方向から視た場合において、当該マスクが、 ビーム断面の一方の短辺から長辺方向に延びており、イオンビームの前記端部の一部を遮蔽するように設けられた第1遮蔽部と、 ビーム断面の一方の短辺から長辺方向に延びているとともにビーム断面における短辺方向に前記第1遮蔽部と並んで設けられており、イオンビームの前記端部において前記第1遮蔽部が遮蔽する部分とは別の部分を遮蔽するように設けられた第2遮蔽部とを備えており、 前記第1遮蔽部によるイオンビームの遮蔽量と前記第2遮蔽部によるイオンビームの遮蔽量をそれぞれ異ならせていることを特徴とするイオンビーム照射装置。
IPC (3件)：
H01J 37/317 ( 200 6.01) ,  H01J 37/09 ( 200 6.01) ,  H01L 21/266 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01J 37/317 Z ,  H01J 37/09 A ,  H01L 21/265 M
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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